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全國具有壓力容器分析設計資質的公司，全國具有儲氣罐分析設計資質的公司表3中的臨界缺陷尺寸一欄清楚地表明了晶圓片表面多大尺寸的隨機缺陷或顆粒就會引起集成電路芯片功能的失敗。由于臨界缺陷尺寸應小于小特征尺寸的一半，對于當今20nm的小特征尺寸，臨界缺陷尺寸只能小于10nm。例如，在光刻膠的曝光過程中，如果晶圓片表面存在一個塵埃顆粒，則這個小顆粒就會影響到其下方光刻膠的曝光，假如由此引起的缺陷尺寸已經接近了所要光刻圖形的特征尺寸且該缺陷恰好又處在芯片上的某個關鍵區域，那么就極有可能導致該處的器件功能失效；當處在柵氧化工藝步驟時，一個位于MOSFET柵氧化層區域的顆粒就很可能會引起器件失效。對于一個現代的硅集成電路芯片制造廠來說，據統計，大約75%的成品率損失都是由于晶圓上的塵埃顆粒而直接引起。
    由于產品和工藝設備不同，全國具有壓力容器分析設計資質的公司，全國具有儲氣罐分析設計資質的公司對潔凈室內空氣潔凈度等級和被控粒子粒徑、溫度、相對濕度控制要求也不相同。因此，生產區域的潔凈度等級應根據工藝要求確定。為了有效地保證產品合格率，避免概念混淆，應采用現行國家標準《潔凈廠房設計規范》GB 50073表3.0.1作為統一標準，如表4所示。該表等同于ISO 14644-1《潔凈室及相關控制環境 第1部分：空氣潔凈度等級的分類》，也便于與國際接軌。確定空氣潔凈度等級所處狀態的目的是便于設計、施工和項目驗收，更主要的是滿足產品生產要求。為保證潔凈室空氣平衡和潔凈室內的正壓值，新鮮空氣量應等于補償室內排風量和保持室內正壓值所需新鮮空氣量之和，同時新鮮空氣量應滿足人員新鮮空氣需求量。因此，取兩者之中的大值。全國具有壓力容器分析設計資質的公司，全國具有儲氣罐分析設計資質的公司標準《采暖通風與空氣調節設計規范》GB 50019規定：“工業建筑應保證每人不小于30m3/h的新風量?！薄稘崈魪S房設計規范》GB 50073規定：“保證供給潔凈室內每人每小時的新鮮空氣量不小于40m3/h?！毙酒瑥S房內使用化學品、特種氣體等原料，這些物品具有有毒有害、易燃、易爆等特性，因此在本條第2款制定了“保證供給潔凈區內人員所需的新鮮空氣量”的規定。

10.1.4 潔凈室與相鄰的房間應保持一定壓差，確保潔凈室在正常狀態或空氣平衡暫時受到破壞時，氣流只能從空氣潔凈度等級高的房間流向空氣潔凈度等級低的房間，使潔凈室內的潔凈度不會受到污染空氣的影響。滲漏空氣量與壓差值有關，壓差值選擇應適當。全國具有壓力容器分析設計資質的公司，全國具有儲氣罐分析設計資質的公司若壓差值過小，潔凈室正壓容易被破壞，潔凈室的潔凈度會受到影響。若壓差值過大，滲漏風量會較大，補充新風量就相應增加，新風空調冷熱負荷也會相應增加，新風空調器容量也會增大，過濾器負荷也會增加，過濾器使用壽命也會縮短。試驗結果表明：潔凈室內正壓值小于5Pa時，潔凈室外的污染空氣就有可能滲入潔凈室內。室外空氣在潔凈廠房的迎風面上產生正壓，在背風面上產生負壓，因此，潔凈室相對于室外的壓差參照點應位于迎風面，潔凈室與室外的相對壓力應大于或等于5Pa。
10.1.5 近年來，國內外集成電路芯片潔凈室大多數采用大空間（Ballroom）與微環境相結合型式，主要工藝生產區域潔凈度等級為ISO5、ISO6級，氣流流型為非單向流，一般采用頂布FFU送風，架空地板下回風，滿布率為17％～25％，主要生產設備操作區域布置在微環境內，微環境潔凈度等級為ISO2、ISO3、ISO4級。輔助區域潔凈度等級一般為ISO5、ISO6級，通常采用非單向流。光刻、電子束曝光等區域潔凈度等級為ISO4級或者更高.通常采用頂部滿布FFU送風，架空地板下回風。化組織ISO/TC209技術委員會發布的ISO 14644-4《潔凈室及相關控制環境 第4部分：設計、建造和試運行》中的表B.2微電子潔凈室的實例，列出了空氣潔凈度等級、全國具有壓力容器分析設計資質的公司，全國具有儲氣罐分析設計資質的公司氣流流型、潔凈送風